Samsung et SK hynix s'affrontent sur la mémoire IA de nouvelle génération au Hot Chips 2026

Lors de la conférence Hot Chips 2026 à Stanford, Samsung Electronics et SK hynix ont dévoilé leurs stratégies rivales pour la mémoire IA post-HBM. Samsung a présenté les spécifications détaillées de sa LPDDR5X-PIM, une mémoire intégrant directement une unité de calcul pour réduire la latence et la consommation énergétique, annonçant un gain de vitesse de traitement ×2 et une augmentation de plus de ×3 du nombre de tokens traités par seconde sur les appareils d'IA embarquée. En parallèle, SK hynix mise sur le bonding hybride et la technique de dissipation thermique avancée iHBM pour repousser les limites des HBM à 20 couches. Ce duel intervient alors que le marché de l'IA bascule de l'entraînement des grands modèles vers l'inférence et l'IA on-device, où les HBM classiques souffrent de surconsommation et d'échauffement. Pour les fabricants de smartphones et PC, cela signifie des appareils capables de faire tourner des LLMs en local plus rapidement et avec moins de batterie, tandis que les data centers devront arbitrer entre les architectures PIM, qui changent la donne côté latence, et les HBM toujours plus denses de SK hynix.