Samsung détaille son HBM zHBM, promettant +70% d'efficacité énergétique

Lors de la conférence Hot Chips 2026, Samsung a présenté sa feuille de route pour la mémoire HBM, passant du HBM standard au HBM personnalisé (cHBM) puis au zHBM. Selon les rapports de Wccftech et ServeTheHome, Samsung revendique pour son zHBM une efficacité énergétique supérieure de 70 % et une bande passante DRAM accrue de 230 % par rapport à une pile HBM4e standard. Le cHBM intègre des fonctions de type SoC dans la puce de base, utilisant des processus logiques avancés pour décharger certaines tâches du xPU, et remplace le PHY classique par une interface D2D plus compacte. Pour gérer la concentration de chaleur, Samsung a développé un bloc de chemin thermique (HPB) couvrant 50 % de la zone de PHY, réduisant la température de pointe de plus de 35 %. Le zHBM empile la mémoire directement sur le XPU, éliminant le besoin d'un interposeur 2.5D et réduisant l'empreinte, tandis que la suppression des SerDes et des frais d'alignement des données réduit la consommation I/O. En parallèle, SK hynix a mis l'accent sur l'emballage avancé, comparant les contraintes mécaniques et thermiques imposées par CoWoS-S, CoWoS-L et le pont Intel EMIB, mais a fourni moins de détails sur son propre HBM personnalisé.