La Chine brise les barrières américaines avec des semiconducteurs avancés

Face aux restrictions d'exportation américaines, la Chine accélère le développement de son écosystème en mémoire DRAM et NAND, tout en investissant dans l’IA et les technologies post-HBM comme CXL. ChangXin Memory Technologies construit un site R&D pour développer du « bonded DRAM », une technologie révolutionnaire. Ces avancées permettent à la Chine de rattraper le retard sur ses concurrents, malgré des pertes importantes. La stratégie inclut aussi une offensive en brevets et un renforcement des contrôles de recherche.