L'Université de Tokyo crée un semi-conducteur 2D d'un atome d'épaisseur

En octobre 2026, une équipe internationale menée par les professeurs Vincent Tung et Rehan Hu de l'Université de Tokyo a dévoilé le BCN (boron carbon nitride), un semi-conducteur 2D de type p d'une épaisseur de seulement 0,5 nanomètre (un atome). Grâce à un dépôt chimique en phase vapeur basse pression (LPCVD), les chercheurs ont réussi à former un film uniforme sur un wafer de 2 pouces, avec une mobilité des trous d'environ 100 cm²/Vs et un rapport on/off de 10⁸. Cette avancée intervient alors que le silicium atteint ses limites physiques de miniaturisation (effet de canal court). Pour l'industrie des semi-conducteurs, cette preuve de concept d'un matériau 2D performant et compatible avec une production à grande échelle ouvre la voie à des transistors sub-1 nm et relance la course au-delà du silicium, avec des implications majeures pour les fondeurs asiatiques comme TSMC ou Samsung.