Samsung présente zHBM, une mémoire HBM haute performance en 3D pour l'IA
Corée · Korea Herald · à l'instant
Samsung Electronics a dévoilé aujourd'hui un nouveau concept de mémoire hautes performances appelé zHBM, qui intègre la technologie HBM directement au-dessus des processeurs d'intelligence artificielle dans une architecture en 3D. Cette avancée réduit considérablement les latences et améliore l'efficacité énergétique par rapport aux technologies existantes, avec un potentiel de performance jusqu'à huit fois supérieur à HBM5. Le concept a été présenté lors du Future of Memory and Storage 2026 à Santa Clara en Californie. Samsung prévoit également le développement d'un solution zNAND-O pour flash NAND, combinant la technologie V-NAND et des vias à travers silicium pour optimiser les performances de l'IA sur dispositif.
À retenir
→ La nouvelle architecture en 3D de Samsung permet une amélioration significative des performances et de l’efficacité énergétique dans les systèmes d'IA, ouvrant la voie à un futur où les processeurs seront mieux intégrés avec leur mémoire pour accélérer le traitement des données.
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