Samsung repousse la production massive de puces GaN en raison d'imperfections

Samsung a rencontré des problèmes lors du test de ses premières puces GaN (dioxyde de gallium) dans sa nouvelle ligne de production dédiée à l'usine de Wuxi. Certaines des puces n’ont pas fonctionné correctement sous une chaleur allant jusqu'à 200°C, retardant ainsi les plans initiaux pour un démarrage en cours d'année. La société travaille maintenant sur la résolution du problème technique qui pourrait être lié à la qualité et au processus de fabrication des wafers GaN. Le marché mondial des puces GaN étant concurrentiel avec des acteurs comme Infineon, STMicroelectronics et Texas Instruments déjà en production depuis un ou deux ans, Samsung risque de perdre du terrain s'il ne résout pas rapidement ce problème technique.