La Chine réduit l'écart technologique avec la Corée du Sud dans la mémoire HBM à seulement 3 ans

Selon des données publiées dimanche par la Korea Semiconductor Industry Association, l'écart technologique entre la Corée du Sud et la Chine dans le secteur des puces mémoire s'est réduit à trois ans pour le HBM, deux ans pour la DRAM et un an pour la NAND flash, contre plus de cinq ans auparavant. ChangXin Memory Technologies (CXMT) teste déjà son HBM3E avec T-Head, filiale d'Alibaba, et prévoit de lancer des produits équipés de cette puce. Ce progrès est réalisé malgré les restrictions américaines sur l'accès aux machines EUV, la Chine compensant par des innovations dans le packaging avancé et l'intégration hétérogène, notamment le X-Stacking de YMTC. Pour Samsung, SK Hynix et Micron, cela signifie une concurrence chinoise bien plus rapide que prévu sur le marché lucratif de la mémoire haute performance. Les surprofits actuels de la DRAM pourraient même accélérer encore l'investissement chinois dans la montée en gamme.