SK Hynix étudie une usine de NAND aux États-Unis pour contourner le risque chinois

Le 18 septembre 2026, Reuters a rapporté que SK Hynix, via sa filiale américaine Solidigm, envisage la construction d'une usine de puces mémoire NAND aux États-Unis, l'État de New York étant le site privilégié. Cette décision répond à la pression de l'administration Trump pour accroître la fabrication nationale de semi-conducteurs, alors que l'unique site de production de Solidigm se trouve à Dalian, en Chine, le rendant vulnérable aux droits de douane américains et aux restrictions d'exportation d'équipements. Le projet, distinct des discussions en cours avec Intel pour produire des puces mémoire dans l'Ohio, n'a pas encore fait l'objet d'un accord définitif. Si elle se concrétise, cette usine réduirait l'exposition de Solidigm à la Chine et sécuriserait l'accès aux clients américains de centres de données, dans un contexte de pénurie de mémoire liée à l'essor de l'IA. Toutefois, le coût, la capacité et le calendrier de construction n'ont pas été divulgués, et l'investissement requis (plusieurs milliards de dollars) pourrait peser sur la rentabilité à court terme de SK Hynix. Pour les acteurs du marché, ce projet représente à la fois une opportunité de consolider la position de Solidigm face à Samsung et une incertitude financière tant que les détails restent flous.