Percée chinoise dans les mémoires : une jonction tunnel ferroélectrique atteint un TER géant de 19 millions

L'Institut des semi-conducteurs de l'Académie chinoise des sciences (CAS) a présenté une jonction tunnel ferroélectrique glissante (sliding ferroelectric tunnel junction) offrant un rapport d'effet tunnel (TER) record de 1,9×10^7, soit une amélioration de plusieurs ordres de grandeur par rapport aux dispositifs existants. Cette avancée, publiée dans un article lié à la revue *Science*, repose sur un matériau bidimensionnel (probablement du nitrure de bore hexagonal ou similaire) qui permet une commutation en quelques nanosecondes, une consommation énergétique de l’ordre du femtojoule par bit et une endurance de 10^11 cycles. Ces caractéristiques surpassent largement les mémoires flash NAND (endurance limitée à ~10^5 cycles) et les mémoires résistives actuelles. Concrètement, cette technologie pourrait révolutionner le stockage non volatile embarqué, l’informatique neuromorphique et les systèmes de calcul à très faible consommation, en remplaçant les mémoires SRAM et Flash dans les processeurs avancés. Pour l’industrie chinoise des semi-conducteurs, c’est un signal fort : elle démontre une capacité d’innovation de rupture dans un domaine clé, indépendamment des restrictions américaines sur l’accès aux technologies de pointe. Les applications immédiates ciblent les datacenters, l’IoT et l’IA embarquée, où la combinaison vitesse/endurance/fiabilité est critique.