Mitsubishi Chemical expédiera des substrats GaN de 6 pouces d'ici 2027

Le groupe Mitsubishi Chemical a annoncé son intention de commencer l'expédition d'échantillons de substrats de nitrure de gallium (GaN) de 6 pouces (150 mm) pour les semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération d'ici la fin de l'exercice fiscal mars 2027. Jusqu'à présent, les substrats pour semi-conducteurs de puissance étaient principalement de 2 ou 4 pouces ; le passage à un plus grand diamètre augmente considérablement le nombre de puces par wafer, réduisant ainsi les coûts de fabrication. Mitsubishi Chemical développe ces substrats en collaboration avec Japan Steel Works (JSW) et utilise la technologie SCAAT-LP, une version améliorée de la méthode ammonothermique acide, qui permet de produire simultanément des centaines de cristaux GaN de haute qualité dans de grands réacteurs sous pression réduite. Cette innovation réduit le nombre de défauts cristallins de plus de deux ordres de grandeur par rapport aux méthodes classiques en phase vapeur (HVPE). Le projet, soutenu par le programme stratégique d'innovation en conservation d'énergie du NEDO, vise à établir un système d'approvisionnement stable et à multiplier par deux la capacité de production d'ici avril 2026, puis par trois d'ici avril 2027. Pour l'industrie des semi-conducteurs de puissance, cette avancée lève le principal frein au déploiement du GaN — le coût élevé — et ouvre la voie à une adoption massive dans l'électronique de puissance.