Samsung dévoile CUBE : mémoire 3D verticale pour IA, zHBM promet ×8 de performance

Samsung Electronics a présenté sa stratégie « CUBE » (Capacity, Utilization, Bandwidth, Efficiency) lors du Semicon Taiwan 2026, visant à empiler verticalement mémoire et logique pour surmonter les limites des architectures HBM actuelles. L’objectif est de multiplier par deux la performance du HBM5 par rapport au HBM4E, d’améliorer de 20 % l’efficacité énergétique par watt et de réduire la résistance thermique de 20 %. Samsung développe également le zHBM, une mémoire 3D qui promet une performance ×8 et une efficacité énergétique ×3 par rapport au HBM4E, ainsi que le zNAND-O, un NAND vertical empilé (4 ou 8 couches via TSV) offrant une densité de bits 10× supérieure au DRAM et une bande passante en lecture 7× meilleure que le NAND actuel. Les premiers échantillons de zNAND-O sont attendus à partir de 2028. Cette annonce intervient alors que Samsung a reconquis la première place mondiale du marché DRAM (39 % de parts de revenus) et conserve la tête du NAND (29,3 %), mais reste sous pression face à SK Hynix dans le segment HBM. Pour les fabricants de serveurs IA et de smartphones, cette verticalisation promet de décupler la capacité mémoire sans agrandir la surface des puces, réduisant latence et consommation énergétique dans les charges de travail d’IA générative et de LLM embarqués.