Chine : YMTC n'est plus qu'à un an de l'Occident en NAND, CXMT à deux ans en DRAM et trois en HBM

Selon la Korea Semiconductor Industry Association, le retard technologique de la Chine sur les puces mémoire s'est considérablement réduit. YMTC n'est plus qu'à un an de l'Occident pour la NAND flash, CXMT à deux ans pour la DRAM et à trois ans pour la HBM, contre un écart d'environ cinq ans il y a peu. Ce rattrapage est porté par des innovations comme le bonding hybride cuivre-cuivre de YMTC, qui permet de fabriquer des architectures HBM sans lithographie EUV, et par l'arrivée prochaine de machines DUV domestiques (Shanghai Aishegna, Yuliangsheng). YMTC passera de 270 à 400 couches d'ici 2027, tandis que CXMT produit déjà des LPDDR5X et amorce la production de DDR5 et HBM3E (avec des rendements encore faibles, ~25 %). Cette avancée menace directement la position de Samsung et SK hynix sur le marché mondial des mémoires et pourrait remodeler la chaîne d'approvisionnement, notamment si Pékin contourne les restrictions occidentales sur l'EUV.