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Chine : Yangtze Memory et ChangXin rattrapent les coréens sur les puces mémoire

Chine · en.sedaily.com · il y a 2 h
Chine : Yangtze Memory et ChangXin rattrapent les coréens sur les puces mémoire
Photo : Yangtze Memory Technologies · Public domain, via Wikimedia Commons

Au deuxième trimestre, Yangtze Memory Technologies (YMTC) est devenue le troisième fabricant mondial de NAND avec 14 % de parts de revenus, dépassant Kioxia et Micron, derrière Samsung (28 %) et SK hynix (19 %). Dans le même temps, ChangXin Memory Technologies (CXMT) annonce des produits DRAM utilisant la structure 4F² dès cette année, soit deux ans avant Samsung qui vise 2028. Ces avancées surviennent malgré les restrictions américaines sur les équipements et les exportations, grâce à des financements publics massifs et à une politique de localisation technologique. Apple a laissé entendre qu’elle pourrait se tourner vers de la mémoire chinoise, ce qui montre un basculement du rapport de force. Pour les géants coréens Samsung et SK hynix, c’est une menace directe sur leur cœur de métier, les obligeant à accélérer leur R&D et à revoir leur stratégie face à une concurrence qui n’était plus attendue avant plusieurs années.

À retenir
→ La Chine rattrape les leaders coréens de la mémoire (NAND et DRAM) malgré l'embargo américain, forçant Samsung et SK hynix à réagir d'urgence sous peine de perdre leur domination du marché.
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