DRAM : le chinois CXMT dégringole les géants coréens et américains avec sa percée 4F²

Le 18 octobre 2026, le fabricant chinois CXMT a annoncé lors d'une conférence à Shanghai avoir réalisé une percée décisive dans la densité des DRAM grâce à une nouvelle architecture cellulaire 4F². L'entreprise prévoit de lancer des modules mémoire pour serveurs sous cette technologie d'ici fin 2026. Cette annonce a immédiatement fait chuter les actions de Micron Technology (−3,88 % à New York), Samsung Electronics (−6 %) et surtout SK hynix (−9 % en séance). Le contexte est celui d'une pénurie mondiale de RAM, où les centres de données devraient absorber 70 % de la production en 2026, avec des prix de la DDR5 multipliés par quatre depuis septembre 2025 et une capacité déjà vendue jusqu'en 2028. CXMT, quatrième fabricant mondial de DRAM en 2026, risque de briser l'oligopole coréano-américain en proposant des puces plus denses et compétitives.