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Le chinois CXMT bouscule Samsung et SK Hynix avec une percée dans la DRAM

Chine · Startupfortune · il y a 1 h
Le chinois CXMT bouscule Samsung et SK Hynix avec une percée dans la DRAM

Le fabricant chinois de mémoires ChangXin Memory Technologies (CXMT) a annoncé une avancée technologique majeure dans l'architecture 4F² pour la DRAM, une conception que Samsung et SK Hynix poursuivaient depuis des années. Cette architecture permet de réduire de 30 à 50 % la surface par cellule mémoire, augmentant ainsi la densité sans rétrécir la gravure. CXMT prévoit de lancer un produit DDR5 RDIMM basé sur cette technologie d'ici fin 2026, devançant potentiellement Samsung (visant 2028) et SK Hynix (feuille de route 2025). L'annonce, faite le 27 juillet 2026, a provoqué une chute de 7,7 % de Samsung et de 8,8 % de SK Hynix à la Bourse de Séoul, entraînant le Kospi dans une chute de plus de 7 %. CXMT, qui détenait 10 % du marché mondial de la DRAM au deuxième trimestre 2026 (contre moins de 1 % en 2023), a vu son chiffre d'affaires bondir à 22,4 milliards de dollars au premier semestre 2026. Cette percée menace directement la domination des deux géants coréens, qui se concentraient sur les puces IA à plus forte marge, et pourrait accélérer la perte de parts de marché des leaders historiques.

À retenir
→ Pour les investisseurs sur les marchés asiatiques, la percée de CXMT signifie que le leadership technologique de Samsung et SK Hynix dans la DRAM n'est plus garanti, risquant une érosion accélérée de leurs parts de marché et une pression baissière sur leurs valorisations.
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