Samsung contre-attaque SK Hynix avec trois gammes zNAND pour l'IA

Samsung Electronics développe en secret trois gammes de mémoire flash zNAND destinées à des usages spécifiques dans l'IA, selon des sources industrielles rapportées le 12 octobre 2026. Après la zNAND-O, dévoilée au FMS 2026 en août et ciblant l'IA sur appareils, la firme prépare une zNAND-T pour les centres de données (empilement vertical via TSV, approche High Bandwidth Flash) et une zNAND-I optimisée pour l'inférence, capable de traiter des opérations d'entrée/sortie par seconde (IOPS) très élevées. Cette segmentation est une réponse directe à la diversification des architectures d'IA chez les géants du cloud, et à la stratégie de SK Hynix qui a lancé sa gamme 'AIN Family' (AIN P, AIN D, AIN B) avec des cibles ambitieuses, dont 100 millions d'IOPS pour AIN P. Pour Samsung, il s'agit de regagner la main sur le marché de la mémoire haute performance, où SK Hynix domine grâce à son avance sur la mémoire HBM. Si ces produits arrivent à maturité, les hyperscalers comme NVIDIA ou Google pourraient bénéficier d'une alternative crédible à SK Hynix, entraînant une baisse des prix et une accélération des déploiements d'IA, aussi bien dans les datacenters que sur les smartphones.