CXMT lance sa 5ᵉ génération de DRAM et prépare une offensive dans la NAND Flash

Le fabricant chinois de semi-conducteurs ChangXin Memory Technologies (CXMT) a annoncé le début de la production commerciale de sa plateforme de cinquième génération (G5) de DRAM, ainsi que la construction d'une installation de recherche expérimentale à Pékin pour évaluer une entrée sur le marché de la mémoire NAND Flash. La G5 permet d'obtenir au moins 50 % de matrices brutes (gross dies) supplémentaires par wafer par rapport à la génération précédente, grâce notamment à des techniques de quadruple patterning qui réduisent le demi-pas de la zone active à 11,95 nanomètres. CXMT occupe désormais la quatrième place mondiale sur le marché de la DRAM avec 9,5 % des revenus au deuxième trimestre, derrière Samsung (39,4 %), SK hynix (24,9 %) et Micron (23,3 %). L'entreprise concurrents coréens et américains en montant en gamme sur un marché dominé par des acteurs historiques, et en diversifiant ses activités vers la NAND Flash, segment clé du stockage de données. Cette offensive chinoise, soutenue par des investissements étatiques, pourrait à terme redistribuer les parts de marché et accentuer la pression sur les prix dans un secteur déjà très concurrentiel, notamment pour les fabricants sud-coréens et américains.