Mémoire : CXMT progresse, Samsung et SK Hynix chutent en Bourse

Lundi, Samsung Electronics et SK Hynix ont vu leurs actions chuter de plus de 3 % à la Bourse de Séoul, après que le fabricant chinois CXMT a annoncé des progrès clés dans le développement d'une structure de cellule mémoire DRAM 4F², qui pourrait augmenter la densité de stockage. Samsung a perdu 3,6 % (à 252 500 wons) et SK Hynix 3,4 % (à 1 624 000 wons). CXMT a dévoilé cette avancée lors d'un événement à Shanghai, fondée sur un transistor Vertical Surrounding Gate, réduisant les fuites de courant et la surface des cellules. L'entreprise prévoit de lancer d'ici fin 2026 des modules RDIMM DDR5 pour serveurs d'entreprise, un segment exigeant en fiabilité. Bien que les spécifications ne soient pas détaillées, cette annonce prouve que CXMT réduit rapidement l'écart avec les leaders coréens, qui poursuivent la même technologie (SK Hynix a dévoilé sa feuille de route en 2025, Samsung vise une production de masse en dessous de 10 nm d'ici 2028). Cette intensification de la concurrence pourrait éroder les parts de marché de Samsung et SK Hynix dans la DRAM haut de gamme et peser sur leurs marges, tout en offrant aux clients de serveurs une alternative supplémentaire.