CXMT passe en volume sa DRAM G5 et explore la NAND

Le fabricant chinois de mémoires CXMT a confirmé que son architecture G5 est entrée en production de masse, accompagnée de deux composants LPDDR5X de 24 Gbit destinés aux smartphones et appareils portables. Cette plateforme offre au moins 50 % de dies bruts en plus par wafer par rapport à la génération précédente, sur une base équivalente à 8 Gbit. CXMT, désormais quatrième acteur mondial de la DRAM avec 9,5 % des revenus du deuxième trimestre (derrière Samsung à 39,4 %, SK hynix à 24,9 % et Micron à 23,3 %), réduit son retard technologique, estimé à environ deux générations par TechInsights, tout en progressant sur sa feuille de route HBM. Parallèlement, CXMT évalue une expansion dans la NAND flash, avec un centre de recherche expérimental à Pékin et des discussions préliminaires avec des clients potentiels, mais sans calendrier commercial défini. Cette avancée intervient alors que les leaders du marché concentrent leur production sur la mémoire serveur et la HBM pour l'IA, laissant des opportunités sur la DRAM standard. Pour l'industrie, cela signifie une pression concurrentielle accrue sur les prix et une alternative pour les acheteurs cherchant à diversifier leurs sources, tandis que la Chine renforce son autonomie dans les semi-conducteurs, un enjeu géopolitique majeur face aux restrictions américaines.